MX700KGD-600芯片动静态筛选测试系统主图2
MX700KGD-600芯片动静态筛选测试系统主图

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img1 产品介绍


 

 

MX700KGD 系列芯片动静态筛选测试系统是一款对裸芯片进行自动化筛选测试的设备,主要应用于SiC MOSIGBT芯片的测试。系统主要由测试系统、自动化装备以及 测试针卡组成,能够进行芯片标称电流电压的测试,以筛选评估芯片完整的数据表现。

 


 

img1 机构介绍


 

 

 

 

 


img1 探针卡介绍


测试站的升降机构带动芯片载台升降,直至探针卡的的探针接触芯片为止,探针卡的 压力室密封,自动校准芯片的高度。

 


img10 产品规格表


 

 

动态测试技术参数

 

 

测试类型

测量参数

测试条件

 

 

 

 

turn off &turn on

tdoff

tf

tff

tZ

Eoff

VCEmax

VCE

IC

dvCE/dt diC/dt

tdon

tr

ton  diC/dt

Eon

VCE

IC1

IC2

ICmax

 

 

 

VCC:50-1500V;IC:10-1000A

VGE _on:0.5-20V;VGE_off:0.5-20V

tswoff:1-100μs(tp:1-1000μs)

 

 

 

FWD Recovery

RM

trr

Qrr

Erec

VRM

dlrf/dt

dlrr/dt  Pfrd(max)

 

 

VCC:50-1500V;IC:10-1000A

VGE_on:0.5-20V;VGE_off:0.5-20V  tswoff:1-100μs (tp:7-1000 μs)

 

 

 

 

Short circuit

 

 

VCEmax

ICmax

VGEmax (during short circuit state not at turn on or turn off) Ic off

diC/dt on

diC/dt off

 

 

VCC:50-1500V;ISCmax:2000A

VGE_on:0.5-20V;VGE_off:0.5-20V

tp:1-20μs


静态测试技术参数

 

 

测试项

量程

分辨率和精度

测试条件

 

 

IGES

 

 

0.1nA -10μA

IGE measurement accuracy &resolution:

0.1nA-99999nA:±1%±1nA,0.01nA;999.99nA-9.9999μA:±1%±5nA,0.1nA VGE force accuracy &resolution:

0.000V-9.999V:±0.3%±3mV,1mV,9.999V-99.99V:±0.3%±30mV,10mV

 

VGE:OV-±100V

VCE:0V

tp:1ms-15

 

 

 

ICES

 

 

 

1nA-5mA

ICE measurement accuracy &resolution:

1nA-999.99nA:±1%±10nA,0.01nA;999.99nA-999.99μA:±1%±20nA,0.1nA 999.99μA-5mA:±1%±100nA,0.1nA

VCE force accuracy &resolution:

VCE max 2kV:

0.000V-9.999V:±0.3%±3mV,1mV;9.999V-99.99V:±0.3%±30mV,10mV

99.99V-999.9V:±0.3%±300mV,100mV;1.000KV-2.000KV:±0.3%±3V,1V

 

 

VCE:OV-2KV

VGE:O-±30V

tp:10ms-1s

 

 

VCES

 

 

200V-2000V

VCE measurement accuracy &resolution:

VCE max 2.0kV:

0-9999V:±0.5%±2mV,0.3mV;9.999V-9999V:±0.5%±20mV,3mV

99.99V-999.9V:±0.5%±200mV,30mV;1.000KV-2.000KV:±0.5%±2V300mV

ICE force accuracy &resolution:

1nA-999.99nA:±1%±10nA,0.01nA;999.99nA-999.99μA:±1%±20nA,0.1nA

999.99μA-5mA:±1%±100nA,0.1nA

 

ICE:1μA-10mA

VGE:0V

tp:10ms-1s

 

 

VGEth

 

 

0V-10V

VGE measurement accuracy &resolution:

0-999.99mV:±0.2%±0.1mV,0.03mV;999.99mV-9.9999V:±0.2%±1mV,0.3mV ICE force accuracy &resolution:

999.9μA-9.999mA:±0.3%±3μA,1μA;9.999mA-99.99mA:±0.3%±30μA,0.01mA

99.99mA-999.9mA:±0.3%±300μA,0.1mA

 

ICE:1mA-1A

tp:1ms-100ms

 

 

 

VCEsat

 

 

 

0-10V

VCE measurement accuracy&resolution:

0-999.99mV:±0.2%±0.1mV,0.03mV;999.99mV-9.9999V:±0.2%±1mV0.3mV ICE &VGE force accuracy &resolution:

999.9mA-9.999A:±0.3%±3mA,1mA;9.999A-65.00A:±0.3%±30mA,0.01A 65.00A-200.00A:±0.5%±30mA,0.01A

VGE max:30.000V(Ice<200A)

0-999.99mV:±0.2%±0.1mV,0.mV;999.99mV-9.9999V:±0.2%±1mV,1mV 9.9999V-30.000V:±0.2%±10mV,10mV

 

 

VGE:0V-20V  ICE:1A-200A tp:0.3ms-1ms

 

 

 

VF

 

 

 

OV-10V

VEC measurement accuracy &resolution:

0-999.99mV:±0.2%±0.1mV,0.03mV;999.99mV-9.9999V:±0.2%±1mV,0.3mV ICE&VGE force accuracy &resolution:

999.9mA-9.999A:±0.3%±3mA,1mA;9.999A-65.00A:±0.3%±30mA,0.01A 65.00A-200.00A:±0.5%±30mA,0.01A

VGE max:30V

0-999.99mV:±0.2%±0.1mV,0.mV;999.99mV-9.9999V:±0.2%±1mV,1mV 9.9999V-30V:±0.2%±10mV,10mV

 

 

VGE:O-±30V

IEC:1-200A

tp:0.3ms-1ms

Kelvin

Contact

 

0-480   ohm

R<10ohm =PASS

R>10ohm =FAIL

IF=25mA

V=0-12V

 


img12 产品特点

img13

 

 

测试类型全覆盖,可根据客户需求进行测试功能的配置,实现芯片的外观检测、高温 或常温下动静态测试等;

 

高压大电流测试,实现裸芯片的标称规格测试,筛选完整数据表现; 低杂散,系统寄生电感小于20nH;

高产能,测试UPH可达600Pcs以上;

具备气体保护功能,防止测试过程中打火和氧化。

 

 

 

 

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